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北京晶迈中科材料技术有限公司
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科研实验**二硒化锗靶材GeSe2磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料
产品介绍
二硒化锗(GeSe2)橙色结晶体，正交晶系结构，密度:4.56g/cm³，熔点：707℃。空气中加热易氧化，不与酸反应，但易被硝酸氧化生成二氧化锗。为半导体材料。
产品参数
中文名 二硒化锗 化学式GeSe2
熔点 707℃ 密度 4.56g/cm3
支持靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！
服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，质量保证，售后**！
产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装
适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备
质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。
加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库
陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差，连续长时间溅射易发生靶裂情况，绑定背靶后，可提高化合物靶材的导热性能，提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您，选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶！
我公司采用高纯铟作为焊料，铟焊厚度约为0.2mm，高纯无氧铜作为背靶。
注意：高纯铟的熔点约为156℃，靶材工作温度**过熔点会导致铟熔化！绑定背靶不影响靶材的正常使用！
建议：陶瓷脆性靶材、烧结靶材，高功率下溅射易碎，建议溅射功率不**过3W/cm2。